N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 3-Pin TO-92 Microchip TN2106N3-G

RS tilauskoodi: 177-9692Tuotemerkki: MicrochipValmistajan osanumero.: TN2106N3-G
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Microchip

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

300 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

TO-92

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Maximum Power Dissipation

740 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Width

4.06mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5.08mm

Height

5.33mm

Series

TN2106

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.8V

Alkuperämaa

Taiwan, Province Of China

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,526

1 kpl (1000 kpl/pussi) (ilman ALV)

€ 0,652

1 kpl (1000 kpl/pussi) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 3-Pin TO-92 Microchip TN2106N3-G

€ 0,526

1 kpl (1000 kpl/pussi) (ilman ALV)

€ 0,652

1 kpl (1000 kpl/pussi) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 3-Pin TO-92 Microchip TN2106N3-G
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Microchip

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

300 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

TO-92

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Maximum Power Dissipation

740 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Width

4.06mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5.08mm

Height

5.33mm

Series

TN2106

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.8V

Alkuperämaa

Taiwan, Province Of China