N-Channel MOSFET, 300 mA, 650 V Depletion, 3-Pin DPAK Microchip DN3765K4-G

RS tilauskoodi: 178-5359Tuotemerkki: MicrochipValmistajan osanumero.: DN3765K4-G
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Microchip

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

300 mA

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

8 Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

6.2mm

Width

6.73mm

Number of Elements per Chip

1

Height

2.39mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

Supertex N-Channel Depletion Mode MOSFET Transistors

The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.

MOSFET Transistors, Microchip

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,55

1 kpl (2000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 1,922

1 kpl (2000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 300 mA, 650 V Depletion, 3-Pin DPAK Microchip DN3765K4-G

€ 1,55

1 kpl (2000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 1,922

1 kpl (2000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 300 mA, 650 V Depletion, 3-Pin DPAK Microchip DN3765K4-G
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Microchip

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

300 mA

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

8 Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

6.2mm

Width

6.73mm

Number of Elements per Chip

1

Height

2.39mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

Supertex N-Channel Depletion Mode MOSFET Transistors

The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.

MOSFET Transistors, Microchip

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja