N-Channel MOSFET, 330 mA, 9 V Depletion, 5-Pin SOT-23 Microchip LND01K1-G
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
MicrochipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
330 mA
Maximum Drain Source Voltage
9 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
5
Maximum Drain Source Resistance
1.4 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Power Dissipation
360 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +0.6 V
Maximum Operating Temperature
+125 °C
Transistor Material
Si
Length
3.05mm
Width
1.75mm
Number of Elements per Chip
1
Height
1.3mm
Minimum Operating Temperature
-25 °C
Tuotetiedot
LND01 N-Channel MOSFET Transistors
The Microchip LND01 is a low threshold, depletion mode (normally on) MOSFET transistor. The design combines the power handling capabilities of a Bipolar Transistor with the high input impedance and positive temperature coefficient of MOS devices.
MOSFET Transistors, Microchip
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,252
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,312
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 0,252
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,312
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
MicrochipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
330 mA
Maximum Drain Source Voltage
9 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
5
Maximum Drain Source Resistance
1.4 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Power Dissipation
360 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +0.6 V
Maximum Operating Temperature
+125 °C
Transistor Material
Si
Length
3.05mm
Width
1.75mm
Number of Elements per Chip
1
Height
1.3mm
Minimum Operating Temperature
-25 °C
Tuotetiedot
LND01 N-Channel MOSFET Transistors
The Microchip LND01 is a low threshold, depletion mode (normally on) MOSFET transistor. The design combines the power handling capabilities of a Bipolar Transistor with the high input impedance and positive temperature coefficient of MOS devices.
MOSFET Transistors, Microchip
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.