N-Channel MOSFET, 330 mA, 9 V Depletion, 5-Pin SOT-23 Microchip LND01K1-G

RS tilauskoodi: 912-5259Tuotemerkki: MicrochipValmistajan osanumero.: LND01K1-G
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Microchip

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

330 mA

Maximum Drain Source Voltage

9 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance

1.4 Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Power Dissipation

360 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +0.6 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+125 °C

Length

3.05mm

Width

1.75mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-25 °C

Height

1.3mm

Tuotetiedot

LND01 N-Channel MOSFET Transistors

The Microchip LND01 is a low threshold, depletion mode (normally on) MOSFET transistor. The design combines the power handling capabilities of a Bipolar Transistor with the high input impedance and positive temperature coefficient of MOS devices.

MOSFET Transistors, Microchip

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,273

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,339

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 330 mA, 9 V Depletion, 5-Pin SOT-23 Microchip LND01K1-G
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,273

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,339

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 330 mA, 9 V Depletion, 5-Pin SOT-23 Microchip LND01K1-G
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Microchip

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

330 mA

Maximum Drain Source Voltage

9 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance

1.4 Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Power Dissipation

360 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +0.6 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+125 °C

Length

3.05mm

Width

1.75mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-25 °C

Height

1.3mm

Tuotetiedot

LND01 N-Channel MOSFET Transistors

The Microchip LND01 is a low threshold, depletion mode (normally on) MOSFET transistor. The design combines the power handling capabilities of a Bipolar Transistor with the high input impedance and positive temperature coefficient of MOS devices.

MOSFET Transistors, Microchip

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja