N-Channel MOSFET, 640 mA, 30 V, 3-Pin TO-92 Microchip VN0300L-G
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
MicrochipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
640 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
VN0300
Package Type
TO-92
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3.3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
30 V
Width
4.06mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5.08mm
Height
5.33mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.9V
Alkuperämaa
Taiwan, Province Of China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 1,50
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 1,86
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
10
€ 1,50
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 1,86
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
10
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 10 - 20 | € 1,50 | € 15,00 |
| 30 - 90 | € 1,40 | € 14,00 |
| 100+ | € 1,25 | € 12,50 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
MicrochipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
640 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
VN0300
Package Type
TO-92
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3.3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
30 V
Width
4.06mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5.08mm
Height
5.33mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.9V
Alkuperämaa
Taiwan, Province Of China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.