N-Channel MOSFET, 300 mA, 55 V, 3-Pin SOT-323 Nexperia BSH121,135
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Package Type
SOT-323 (SC-70)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
700 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Typical Gate Charge @ Vgs
1 nC @ 8 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.2mm
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Height
1mm
Alkuperämaa
Malaysia
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,199
kpl (toimitus teipissä) (ilman ALV)
€ 0,25
kpl (toimitus teipissä) (Sis ALV:n)
Standardi
50
€ 0,199
kpl (toimitus teipissä) (ilman ALV)
€ 0,25
kpl (toimitus teipissä) (Sis ALV:n)
Standardi
50
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Nauha |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,199 | € 9,95 |
| 100 - 200 | € 0,174 | € 8,70 |
| 250 - 450 | € 0,142 | € 7,10 |
| 500 - 950 | € 0,137 | € 6,85 |
| 1000+ | € 0,131 | € 6,55 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Package Type
SOT-323 (SC-70)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
700 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Typical Gate Charge @ Vgs
1 nC @ 8 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.2mm
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Height
1mm
Alkuperämaa
Malaysia
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.