Nexperia N-Channel MOSFET, 330 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 BSN20BKR

RS tilauskoodi: 136-4845PTuotemerkki: NexperiaValmistajan osanumero.: BSN20BKR
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Nexperia

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

330 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

BSN20BK

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2.8 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.4V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Maximum Power Dissipation

1.67 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Width

1.4mm

Length

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.49 nC @ 4.5 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

1mm

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 94,80

€ 0,158 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 118,97

€ 0,198 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Nexperia N-Channel MOSFET, 330 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 BSN20BKR
Valitse pakkaustyyppi

€ 94,80

€ 0,158 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 118,97

€ 0,198 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Nexperia N-Channel MOSFET, 330 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 BSN20BKR
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Kela
600 - 1400€ 0,158€ 15,80
1500+€ 0,136€ 13,60

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Nexperia

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

330 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

BSN20BK

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2.8 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.4V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Maximum Power Dissipation

1.67 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Width

1.4mm

Length

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.49 nC @ 4.5 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

1mm

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja