N-Channel MOSFET, 150 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia BSS123,215

RS tilauskoodi: 792-0885PTuotemerkki: NexperiaValmistajan osanumero.: BSS123,215
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Nexperia

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

150 mA

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

6 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

250 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Length

3mm

Width

1.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 100V and Higher, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,143

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,177

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 150 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia BSS123,215
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,143

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,177

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 150 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia BSS123,215
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Kela
100 - 100€ 0,143€ 14,30
200 - 400€ 0,11€ 11,00
500 - 900€ 0,086€ 8,60
1000 - 1900€ 0,082€ 8,20
2000+€ 0,077€ 7,70

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Nexperia

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

150 mA

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

6 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

250 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Length

3mm

Width

1.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 100V and Higher, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja