N-Channel MOSFET, 360 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia BSS138BK,215

RS tilauskoodi: 124-2289Tuotemerkki: NexperiaValmistajan osanumero.: BSS138BK,215
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Nexperia

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

360 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

1.6 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.6V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.48V

Maximum Power Dissipation

420 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Length

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.6 nC @ 4.5 V

Width

1.4mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,095

1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,118

1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 360 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia BSS138BK,215

€ 0,095

1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,118

1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 360 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia BSS138BK,215
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Kela
3000 - 3000€ 0,095€ 285,00
6000 - 12000€ 0,09€ 270,00
15000 - 27000€ 0,072€ 216,00
30000 - 57000€ 0,068€ 204,00
60000+€ 0,064€ 192,00

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Nexperia

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

360 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

1.6 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.6V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.48V

Maximum Power Dissipation

420 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Length

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.6 nC @ 4.5 V

Width

1.4mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja