N-Channel MOSFET, 320 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323 Nexperia BSS138BKW,115

RS tilauskoodi: 792-0897PTuotemerkki: NexperiaValmistajan osanumero.: BSS138BKW
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Nexperia

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

320 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-323

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

1.6 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.6V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.48V

Maximum Power Dissipation

310 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.6 nC @ 4.5 V

Transistor Material

Si

Width

1.4mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1mm

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,284

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,352

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 320 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323 Nexperia BSS138BKW,115
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,284

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,352

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 320 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323 Nexperia BSS138BKW,115
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Kela
50 - 550€ 0,284€ 14,20
600 - 1450€ 0,078€ 3,90
1500+€ 0,064€ 3,20

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Nexperia

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

320 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-323

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

1.6 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.6V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.48V

Maximum Power Dissipation

310 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.6 nC @ 4.5 V

Transistor Material

Si

Width

1.4mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1mm

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja