Dual N-Channel MOSFET, 320 mA, 60 V, 6-Pin SOT-363 Nexperia BSS138PS,115

RS tilauskoodi: 792-0901PTuotemerkki: NexperiaValmistajan osanumero.: BSS138PS,115
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Nexperia

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

320 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-363

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

1.6 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.9V

Maximum Power Dissipation

320 mW

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.72 nC @ 4.5 V

Width

1.35mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1mm

Tuotetiedot

Dual N-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,243

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,301

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Dual N-Channel MOSFET, 320 mA, 60 V, 6-Pin SOT-363 Nexperia BSS138PS,115
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,243

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,301

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Dual N-Channel MOSFET, 320 mA, 60 V, 6-Pin SOT-363 Nexperia BSS138PS,115
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Kela
40 - 360€ 0,243€ 9,72
400 - 760€ 0,097€ 3,88
800+€ 0,094€ 3,76

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Nexperia

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

320 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-363

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

1.6 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.9V

Maximum Power Dissipation

320 mW

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.72 nC @ 4.5 V

Width

1.35mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1mm

Tuotetiedot

Dual N-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja