Nexperia P-Channel MOSFET, 130 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 BSS84,215
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
NexperiaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
130 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
250 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Height
1mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 7,90
€ 0,158 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 9,91
€ 0,198 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
50
€ 7,90
€ 0,158 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 9,91
€ 0,198 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
50
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 50 - 90 | € 0,158 | € 1,58 |
| 100 - 240 | € 0,131 | € 1,31 |
| 250 - 490 | € 0,123 | € 1,23 |
| 500+ | € 0,115 | € 1,15 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
NexperiaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
130 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
250 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Height
1mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.