P-Channel MOSFET, 180 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia BSS84AK,215

RS tilauskoodi: 792-0908PTuotemerkki: NexperiaValmistajan osanumero.: BSS84AK
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Nexperia

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

180 mA

Maximum Drain Source Voltage

50 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

7.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.1V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.1V

Maximum Power Dissipation

420 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.26 nC @ 5 V

Width

1.4mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1mm

Tuotetiedot

P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,111

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,138

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 180 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia BSS84AK,215
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,111

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,138

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 180 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia BSS84AK,215
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Kela
100 - 100€ 0,111€ 11,10
200 - 400€ 0,088€ 8,80
500 - 900€ 0,072€ 7,20
1000 - 1900€ 0,049€ 4,90
2000+€ 0,046€ 4,60

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Nexperia

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

180 mA

Maximum Drain Source Voltage

50 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

7.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.1V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.1V

Maximum Power Dissipation

420 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.26 nC @ 5 V

Width

1.4mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1mm

Tuotetiedot

P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja