Nexperia BST60 Dual PNP Darlington Transistor, -1 A 45 V HFE:1000, 3-Pin SOT-89
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
NexperiaTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
-1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
45 V
Maximum Emitter Base Voltage
-5 V
Package Type
SOT-89
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
2
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
-1.9 V
Maximum Collector Base Voltage
-60 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-1.3 V
Maximum Collector Cut-off Current
-50nA
Height
1.6mm
Width
2.6mm
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Dimensions
4.6 x 2.6 x 1.6mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
4.6mm
Alkuperämaa
Hong Kong
Tuotetiedot
Darlington Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 210,00
€ 0,21 1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 263,55
€ 0,264 1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1000
€ 210,00
€ 0,21 1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 263,55
€ 0,264 1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
NexperiaTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
-1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
45 V
Maximum Emitter Base Voltage
-5 V
Package Type
SOT-89
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
2
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
-1.9 V
Maximum Collector Base Voltage
-60 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-1.3 V
Maximum Collector Cut-off Current
-50nA
Height
1.6mm
Width
2.6mm
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Dimensions
4.6 x 2.6 x 1.6mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
4.6mm
Alkuperämaa
Hong Kong
Tuotetiedot
Darlington Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.