Nexperia BST62,115 PNP Darlington Transistor, -1 A 80 V HFE:1000, 3-Pin SOT-89

RS tilauskoodi: 165-9993Tuotemerkki: NexperiaValmistajan osanumero.: BST62,115
brand-logo
Näytä kaikki Darlington Pairs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Nexperia

Transistor Type

PNP

Maximum Continuous Collector Current

-1 A

Maximum Collector Emitter Voltage

80 V

Maximum Emitter Base Voltage

-5 V

Package Type

SOT-89

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

1

Minimum DC Current Gain

1000

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

-1.9 V

Maximum Collector Base Voltage

-90 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

-1.3 V

Maximum Collector Cut-off Current

-50nA

Height

1.6mm

Width

2.6mm

Maximum Power Dissipation

1.3 W

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Dimensions

4.6 x 2.6 x 1.6mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

4.6mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

Darlington Transistors, Nexperia

Bipolar Transistors, Nexperia

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,211

1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,262

1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

Nexperia BST62,115 PNP Darlington Transistor, -1 A 80 V HFE:1000, 3-Pin SOT-89

€ 0,211

1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,262

1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

Nexperia BST62,115 PNP Darlington Transistor, -1 A 80 V HFE:1000, 3-Pin SOT-89
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Nexperia

Transistor Type

PNP

Maximum Continuous Collector Current

-1 A

Maximum Collector Emitter Voltage

80 V

Maximum Emitter Base Voltage

-5 V

Package Type

SOT-89

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

1

Minimum DC Current Gain

1000

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

-1.9 V

Maximum Collector Base Voltage

-90 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

-1.3 V

Maximum Collector Cut-off Current

-50nA

Height

1.6mm

Width

2.6mm

Maximum Power Dissipation

1.3 W

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Dimensions

4.6 x 2.6 x 1.6mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

4.6mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

Darlington Transistors, Nexperia

Bipolar Transistors, Nexperia