N-Channel MOSFET, 75 A, 40 V, 3-Pin DPAK Nexperia BUK7208-40B,118
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
75 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
15.6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
167 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Width
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+185 °C
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
35 nC @ 10 V
Height
2.38mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Automotive Standard
AEC-Q101
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 1,40
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 1,757
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
10
€ 1,40
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 1,757
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
10
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 1,40 | € 14,00 |
| 100 - 240 | € 1,30 | € 13,00 |
| 250 - 990 | € 1,25 | € 12,50 |
| 1000 - 1990 | € 1,20 | € 12,00 |
| 2000+ | € 1,15 | € 11,50 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
75 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
15.6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
167 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Width
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+185 °C
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
35 nC @ 10 V
Height
2.38mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Automotive Standard
AEC-Q101
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.