N-Channel MOSFET, 7.2 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia PMV20XNER

RS tilauskoodi: 170-4865Tuotemerkki: NexperiaValmistajan osanumero.: PMV20XNER
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Nexperia

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

7.2 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

TO-236

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

38 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

0.9V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

6.94 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

12 V

Width

1.4mm

Number of Elements per Chip

1

Typical Gate Charge @ Vgs

12.4 nC @ 4.5 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3mm

Height

1mm

Series

PMV20XNE

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Alkuperämaa

China

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,162

1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,201

1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 7.2 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia PMV20XNER

€ 0,162

1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,201

1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 7.2 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia PMV20XNER
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Nexperia

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

7.2 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

TO-236

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

38 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

0.9V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

6.94 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

12 V

Width

1.4mm

Number of Elements per Chip

1

Typical Gate Charge @ Vgs

12.4 nC @ 4.5 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3mm

Height

1mm

Series

PMV20XNE

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Alkuperämaa

China