Nexperia N-Channel MOSFET, 1.9 A, 100 V, 3-Pin SOT-23 PMV213SN,215

RS tilauskoodi: 725-8326Tuotemerkki: NexperiaValmistajan osanumero.: PMV213SN,215
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Nexperia

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.9 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

250 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

2 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

1.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

3mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

7 nC @ 10 V

Height

1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 100V and Higher, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 8,48

€ 0,424 1 kpl (20 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 10,64

€ 0,532 1 kpl (20 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Nexperia N-Channel MOSFET, 1.9 A, 100 V, 3-Pin SOT-23 PMV213SN,215
Valitse pakkaustyyppi

€ 8,48

€ 0,424 1 kpl (20 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 10,64

€ 0,532 1 kpl (20 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Nexperia N-Channel MOSFET, 1.9 A, 100 V, 3-Pin SOT-23 PMV213SN,215
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
20 - 20€ 0,424€ 8,48
40 - 80€ 0,318€ 6,36
100 - 180€ 0,242€ 4,84
200 - 380€ 0,228€ 4,56
400+€ 0,224€ 4,48

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Nexperia

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.9 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

250 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

2 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

1.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

3mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

7 nC @ 10 V

Height

1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 100V and Higher, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja