Nexperia N-Channel MOSFET, 5.4 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 PMV30UN2R
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.4 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
PMV30UN2
Package Type
TO-236
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
12 V
Number of Elements per Chip
1
Width
1.4mm
Length
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.2 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1mm
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 405,00
€ 0,135 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 508,28
€ 0,169 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 405,00
€ 0,135 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 508,28
€ 0,169 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,135 | € 405,00 |
| 6000 - 12000 | € 0,13 | € 390,00 |
| 15000 - 27000 | € 0,126 | € 378,00 |
| 30000 - 72000 | € 0,12 | € 360,00 |
| 75000+ | € 0,118 | € 354,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.4 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
PMV30UN2
Package Type
TO-236
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
12 V
Number of Elements per Chip
1
Width
1.4mm
Length
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.2 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1mm
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.