Nexperia P-Channel MOSFET, 3.9 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 PMV65XP,215
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
NexperiaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.9 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
76 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.47V
Maximum Power Dissipation
1.92 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Typical Gate Charge @ Vgs
7.6 nC @ 4.5 V
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 18,10
€ 0,362 1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 22,72
€ 0,454 1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
50
€ 18,10
€ 0,362 1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 22,72
€ 0,454 1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
50
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 50 - 550 | € 0,362 | € 18,10 |
| 600 - 1450 | € 0,195 | € 9,75 |
| 1500+ | € 0,164 | € 8,20 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
NexperiaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.9 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
76 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.47V
Maximum Power Dissipation
1.92 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Typical Gate Charge @ Vgs
7.6 nC @ 4.5 V
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.