Nexperia N-Channel MOSFET, 76 A, 30 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 PSMN7R0-30YL,115
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
76 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
LFPAK, SOT-669
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.15V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
51 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.1mm
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
22 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.1mm
Alkuperämaa
Philippines
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, up to 30V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 502,50
€ 0,335 1 kpl (1500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 630,64
€ 0,42 1 kpl (1500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1500
€ 502,50
€ 0,335 1 kpl (1500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 630,64
€ 0,42 1 kpl (1500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1500
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
76 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
LFPAK, SOT-669
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.15V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
51 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.1mm
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
22 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.1mm
Alkuperämaa
Philippines
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, up to 30V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.