NXP BF861C,215 N-Channel JFET, 25 V, Idss 12 to 25mA, 3-Pin SOT-23

RS tilauskoodi: 626-2412Tuotemerkki: NXPValmistajan osanumero.: BF861C,215
brand-logo
Näytä kaikki JFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

NXP

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

12 to 25mA

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Maximum Gate Source Voltage

+25 V

Maximum Drain Gate Voltage

25V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

SOT-23 (TO-236AB)

Pin Count

3

Dimensions

3 x 1.4 x 1mm

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Height

1mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3mm

Width

1.4mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

N-channel JFET, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,364

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,457

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

NXP BF861C,215 N-Channel JFET, 25 V, Idss 12 to 25mA, 3-Pin SOT-23
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,364

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,457

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

NXP BF861C,215 N-Channel JFET, 25 V, Idss 12 to 25mA, 3-Pin SOT-23
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
10 - 90€ 0,364€ 3,64
100 - 240€ 0,287€ 2,87
250 - 990€ 0,253€ 2,53
1000+€ 0,204€ 2,04

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

NXP

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

12 to 25mA

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Maximum Gate Source Voltage

+25 V

Maximum Drain Gate Voltage

25V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

SOT-23 (TO-236AB)

Pin Count

3

Dimensions

3 x 1.4 x 1mm

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Height

1mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3mm

Width

1.4mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

N-channel JFET, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja