NXP 200V 30A, Dual Silicon Junction Diode, 3-Pin TO-247 BYV72EW-200
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
NXPMounting Type
Through Hole
Package Type
TO-247
Maximum Continuous Forward Current
30A
Peak Reverse Repetitive Voltage
200V
Diode Configuration
Common Cathode
Rectifier Type
Switching
Diode Type
Silicon Junction
Pin Count
3
Maximum Forward Voltage Drop
1.2V
Number of Elements per Chip
2
Peak Reverse Recovery Time
28ns
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
160A
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Hintaa ei saatavilla
5
Hintaa ei saatavilla
5
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
NXPMounting Type
Through Hole
Package Type
TO-247
Maximum Continuous Forward Current
30A
Peak Reverse Repetitive Voltage
200V
Diode Configuration
Common Cathode
Rectifier Type
Switching
Diode Type
Silicon Junction
Pin Count
3
Maximum Forward Voltage Drop
1.2V
Number of Elements per Chip
2
Peak Reverse Recovery Time
28ns
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
160A
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.