NXP PMBFJ109,215 N-Channel JFET, 25 V, Idss min. 40mA, 3-Pin SOT-23

RS tilauskoodi: 626-3235Tuotemerkki: NXPValmistajan osanumero.: PMBFJ109,215
brand-logo
Näytä kaikki JFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

NXP

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

min. 40mA

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Maximum Gate Source Voltage

-25 V

Maximum Drain Gate Voltage

-25V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

12 Ω

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

SOT-23 (TO-236AB)

Pin Count

3

Dimensions

3 x 1.4 x 1mm

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Height

1mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3mm

Width

1.4mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

N-channel JFET, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,388

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,481

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

NXP PMBFJ109,215 N-Channel JFET, 25 V, Idss min. 40mA, 3-Pin SOT-23

€ 0,388

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,481

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

NXP PMBFJ109,215 N-Channel JFET, 25 V, Idss min. 40mA, 3-Pin SOT-23
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
5 - 20€ 0,388€ 1,94
25 - 45€ 0,323€ 1,62
50 - 245€ 0,315€ 1,58
250 - 495€ 0,312€ 1,56
500+€ 0,297€ 1,48

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

NXP

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

min. 40mA

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Maximum Gate Source Voltage

-25 V

Maximum Drain Gate Voltage

-25V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

12 Ω

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

SOT-23 (TO-236AB)

Pin Count

3

Dimensions

3 x 1.4 x 1mm

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Height

1mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3mm

Width

1.4mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

N-channel JFET, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja