NXP PMBFJ177,215 P-Channel JFET, 30 V, Idss 1.5 to 20mA, 3-Pin SOT-23

RS tilauskoodi: 112-5510Tuotemerkki: NXPValmistajan osanumero.: PMBFJ177,215
brand-logo
Näytä kaikki JFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

NXP

Channel Type

P

Idss Drain-Source Cut-off Current

1.5 to 20mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Maximum Gate Source Voltage

+30 V

Maximum Drain Gate Voltage

30V

Configuration

Single

Transistor Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

300 Ω

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

SOT-23

Pin Count

3

Dimensions

3 x 1.4 x 1mm

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Height

1mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3mm

Width

1.4mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

P-channel JFET, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,605

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,75

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

NXP PMBFJ177,215 P-Channel JFET, 30 V, Idss 1.5 to 20mA, 3-Pin SOT-23

€ 0,605

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,75

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

NXP PMBFJ177,215 P-Channel JFET, 30 V, Idss 1.5 to 20mA, 3-Pin SOT-23
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
5 - 45€ 0,605€ 3,02
50 - 95€ 0,574€ 2,87
100 - 245€ 0,544€ 2,72
250 - 495€ 0,513€ 2,56
500+€ 0,498€ 2,49

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

NXP

Channel Type

P

Idss Drain-Source Cut-off Current

1.5 to 20mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Maximum Gate Source Voltage

+30 V

Maximum Drain Gate Voltage

30V

Configuration

Single

Transistor Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

300 Ω

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

SOT-23

Pin Count

3

Dimensions

3 x 1.4 x 1mm

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Height

1mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3mm

Width

1.4mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

P-channel JFET, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja