onsemi 2SK3666-2-TB-E N-Channel JFET, 30 V, Idss 0.6 to 1.5mA, 3-Pin SOT-23

RS tilauskoodi: 800-9364Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: 2SK3666-2-TB-E
brand-logo
Näytä kaikki JFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

0.6 to 1.5mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Maximum Drain Gate Voltage

-30V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

200 Ω

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

SOT-23

Pin Count

3

Dimensions

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.9mm

Height

1.1mm

Width

1.5mm

Tuotetiedot

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,22

1 kpl (100 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,273

1 kpl (100 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

onsemi 2SK3666-2-TB-E N-Channel JFET, 30 V, Idss 0.6 to 1.5mA, 3-Pin SOT-23
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,22

1 kpl (100 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,273

1 kpl (100 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

onsemi 2SK3666-2-TB-E N-Channel JFET, 30 V, Idss 0.6 to 1.5mA, 3-Pin SOT-23
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
100 - 100€ 0,22€ 22,00
200 - 400€ 0,189€ 18,90
500 - 900€ 0,173€ 17,30
1000 - 1900€ 0,156€ 15,60
2000+€ 0,15€ 15,00

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

0.6 to 1.5mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Maximum Drain Gate Voltage

-30V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

200 Ω

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

SOT-23

Pin Count

3

Dimensions

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.9mm

Height

1.1mm

Width

1.5mm

Tuotetiedot

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja