onsemi 2SK3666-3-TB-E N-Channel JFET, 30 V, Idss 1.2 to 3mA, 3-Pin CP

RS tilauskoodi: 792-5161PTuotemerkki: ON SemiconductorValmistajan osanumero.: 2SK3666-3-TB-E
brand-logo
Näytä kaikki JFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

1.2 to 3mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Maximum Drain Gate Voltage

-30V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

200 Ω

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

CP

Pin Count

3

Drain Gate On-Capacitance

4pF

Source Gate On-Capacitance

1.1pF

Dimensions

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.9mm

Height

1.1mm

Width

1.5mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,386

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,479

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

onsemi 2SK3666-3-TB-E N-Channel JFET, 30 V, Idss 1.2 to 3mA, 3-Pin CP
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,386

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,479

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

onsemi 2SK3666-3-TB-E N-Channel JFET, 30 V, Idss 1.2 to 3mA, 3-Pin CP
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Kela
50 - 200€ 0,386€ 19,30
250 - 450€ 0,355€ 17,75
500 - 1200€ 0,333€ 16,65
1250 - 2450€ 0,307€ 15,35
2500+€ 0,282€ 14,10

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

1.2 to 3mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Maximum Drain Gate Voltage

-30V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

200 Ω

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

CP

Pin Count

3

Drain Gate On-Capacitance

4pF

Source Gate On-Capacitance

1.1pF

Dimensions

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.9mm

Height

1.1mm

Width

1.5mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja