Dual N-Channel MOSFET, 7.5 A, 20 V, 8-Pin ECH onsemi ECH8656-TL-H
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
7.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
ECH
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
48 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10.8 nC @ 4.5 V
Width
2.3mm
Transistor Material
Si
Height
0.9mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,363
1 kpl (15 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,45
1 kpl (15 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
15
€ 0,363
1 kpl (15 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,45
1 kpl (15 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
15
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 15 - 15 | € 0,363 | € 5,44 |
| 30 - 135 | € 0,359 | € 5,38 |
| 150 - 435 | € 0,352 | € 5,28 |
| 450 - 885 | € 0,35 | € 5,25 |
| 900+ | € 0,345 | € 5,18 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
7.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
ECH
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
48 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10.8 nC @ 4.5 V
Width
2.3mm
Transistor Material
Si
Height
0.9mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.