N-Channel MOSFET, 10 A, 650 V, 3-Pin IPAK onsemi FCU360N65S3R0

RS tilauskoodi: 178-4246Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: FCU360N65S3R0
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

10 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Package Type

IPAK

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

360 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

83 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±30 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.8mm

Typical Gate Charge @ Vgs

18 nC @ 10 V

Width

2.5mm

Number of Elements per Chip

1

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

6.3mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Alkuperämaa

China

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,645

1 kpl (75 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 0,80

1 kpl (75 kpl/putki) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 10 A, 650 V, 3-Pin IPAK onsemi FCU360N65S3R0

€ 0,645

1 kpl (75 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 0,80

1 kpl (75 kpl/putki) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 10 A, 650 V, 3-Pin IPAK onsemi FCU360N65S3R0
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

10 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Package Type

IPAK

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

360 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

83 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±30 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.8mm

Typical Gate Charge @ Vgs

18 nC @ 10 V

Width

2.5mm

Number of Elements per Chip

1

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

6.3mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Alkuperämaa

China