N-Channel MOSFET, 6 A, 800 V, 3-Pin IPAK onsemi FCU850N80Z
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Package Type
IPAK
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
850 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
75 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V dc, ±30 V ac
Width
2.5mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
22 nC @ 10 V
Height
7.57mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,205
1 kpl (1800 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 0,254
1 kpl (1800 kpl/putki) (Sis ALV:n)
1800
€ 0,205
1 kpl (1800 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 0,254
1 kpl (1800 kpl/putki) (Sis ALV:n)
1800
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Package Type
IPAK
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
850 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
75 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V dc, ±30 V ac
Width
2.5mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
22 nC @ 10 V
Height
7.57mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.