N-Channel MOSFET, 51 A, 80 V, 8-Pin Power33 onsemi FDMC010N08C
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
51 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Package Type
Power33
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
10 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
52 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
3.4mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Height
0.75mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Alkuperämaa
Philippines
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 1,20
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1,488
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 1,20
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1,488
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 1,20 | € 3 600,00 |
| 6000+ | € 1,15 | € 3 450,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
51 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Package Type
Power33
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
10 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
52 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
3.4mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Height
0.75mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Alkuperämaa
Philippines
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.