Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
128 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
48 nC @ 10 V
Length
10.36mm
Width
4.67mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
15.21mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Alkuperämaa
China
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 2,90
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 3,596
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
2
€ 2,90
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 3,596
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
2
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
128 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
48 nC @ 10 V
Length
10.36mm
Width
4.67mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
15.21mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Alkuperämaa
China