N-Channel MOSFET, 128 A, 100 V, 3-Pin TO-220 onsemi FDP4D5N10C

RS tilauskoodi: 181-1903Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: FDP4D5N10C
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

128 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

4.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

150 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

48 nC @ 10 V

Length

10.36mm

Width

4.67mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

15.21mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.3V

Alkuperämaa

China

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 2,90

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 3,596

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 128 A, 100 V, 3-Pin TO-220 onsemi FDP4D5N10C
Valitse pakkaustyyppi

€ 2,90

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 3,596

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 128 A, 100 V, 3-Pin TO-220 onsemi FDP4D5N10C
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

128 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

4.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

150 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

48 nC @ 10 V

Length

10.36mm

Width

4.67mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

15.21mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.3V

Alkuperämaa

China