N-Channel MOSFET, 76 A, 100 V, 3-Pin TO-220 onsemi FDP8D5N10C
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
76 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
8.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
107 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Width
4.67mm
Number of Elements per Chip
1
Length
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 10 V
Forward Diode Voltage
1.3V
Height
15.21mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 1,70
1 kpl (800 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 2,108
1 kpl (800 kpl/putki) (Sis ALV:n)
800
€ 1,70
1 kpl (800 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 2,108
1 kpl (800 kpl/putki) (Sis ALV:n)
800
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Putki |
|---|---|---|
| 800 - 800 | € 1,70 | € 1 360,00 |
| 1600 - 2400 | € 1,45 | € 1 160,00 |
| 3200 - 4800 | € 1,40 | € 1 120,00 |
| 5600+ | € 1,35 | € 1 080,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
76 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
8.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
107 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Width
4.67mm
Number of Elements per Chip
1
Length
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 10 V
Forward Diode Voltage
1.3V
Height
15.21mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.