N-Channel MOSFET, 500 mA, 25 V, 3-Pin SOT-23 onsemi FDV301N

RS tilauskoodi: 166-1935Tuotemerkki: ON SemiconductorValmistajan osanumero.: FDV301N
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

500 mA

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

9 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.06V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.7V

Maximum Power Dissipation

350 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

+8 V

Width

1.3mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

2.92mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.49 nC @ 4.5 V

Height

0.93mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Tuotetiedot

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,046

1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,057

1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 500 mA, 25 V, 3-Pin SOT-23 onsemi FDV301N

€ 0,046

1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,057

1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 500 mA, 25 V, 3-Pin SOT-23 onsemi FDV301N
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

500 mA

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

9 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.06V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.7V

Maximum Power Dissipation

350 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

+8 V

Width

1.3mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

2.92mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.49 nC @ 4.5 V

Height

0.93mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Tuotetiedot

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja