onsemi FGD3N60LSDTM IGBT, 6 A 600 V, 3-Pin DPAK (TO-252), Surface Mount

RS tilauskoodi: 864-8821PTuotemerkki: ON SemiconductorValmistajan osanumero.: FGD3N60LSDTM
brand-logo
Näytä kaikki IGBTs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Maximum Continuous Collector Current

6 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±25V

Maximum Power Dissipation

40 W

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

6.73 x 6.22 x 2.39mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Tuotetiedot

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,461

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,572

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

onsemi FGD3N60LSDTM IGBT, 6 A 600 V, 3-Pin DPAK (TO-252), Surface Mount
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,461

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,572

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

onsemi FGD3N60LSDTM IGBT, 6 A 600 V, 3-Pin DPAK (TO-252), Surface Mount
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Maximum Continuous Collector Current

6 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±25V

Maximum Power Dissipation

40 W

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

6.73 x 6.22 x 2.39mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Tuotetiedot

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.