onsemi FGH15T120SMD_F155 IGBT, 30 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Surface Mount
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiMaximum Continuous Collector Current
30 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±25V
Maximum Power Dissipation
333 W
Package Type
TO-247
Mounting Type
Surface Mount
Channel Type
N
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Dimensions
15.87 x 4.82 x 20.82mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Tuotetiedot
Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 5,60
1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 6,944
1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
€ 5,60
1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 6,944
1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Putki |
|---|---|---|
| 30 - 120 | € 5,60 | € 168,00 |
| 150+ | € 4,85 | € 145,50 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiMaximum Continuous Collector Current
30 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±25V
Maximum Power Dissipation
333 W
Package Type
TO-247
Mounting Type
Surface Mount
Channel Type
N
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Dimensions
15.87 x 4.82 x 20.82mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Tuotetiedot
Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.