onsemi FGH75T65SHDTL4, P-Channel IGBT, 150 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole

RS tilauskoodi: 181-1866Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: FGH75T65SHDTL4
brand-logo
Näytä kaikki IGBTs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

150 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

455 W

Number of Transistors

1

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

P

Pin Count

4

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.8 x 5.2 x 22.74mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Gate Capacitance

3710pF

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Energy Rating

160mJ

Alkuperämaa

China

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 4,50

1 kpl (450 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 5,58

1 kpl (450 kpl/putki) (Sis ALV:n)

onsemi FGH75T65SHDTL4, P-Channel IGBT, 150 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole

€ 4,50

1 kpl (450 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 5,58

1 kpl (450 kpl/putki) (Sis ALV:n)

onsemi FGH75T65SHDTL4, P-Channel IGBT, 150 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

150 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

455 W

Number of Transistors

1

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

P

Pin Count

4

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.8 x 5.2 x 22.74mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Gate Capacitance

3710pF

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Energy Rating

160mJ

Alkuperämaa

China