Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorMaximum Continuous Collector Current
150 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
375 W
Number of Transistors
1
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
P
Pin Count
4
Switching Speed
1MHz
Transistor Configuration
Single
Dimensions
15.8 x 5.2 x 22.74mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Gate Capacitance
4845pF
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Energy Rating
160mJ
Alkuperämaa
China
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 2,95
1 kpl (450 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 3,658
1 kpl (450 kpl/putki) (Sis ALV:n)
450
€ 2,95
1 kpl (450 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 3,658
1 kpl (450 kpl/putki) (Sis ALV:n)
450
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorMaximum Continuous Collector Current
150 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
375 W
Number of Transistors
1
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
P
Pin Count
4
Switching Speed
1MHz
Transistor Configuration
Single
Dimensions
15.8 x 5.2 x 22.74mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Gate Capacitance
4845pF
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Energy Rating
160mJ
Alkuperämaa
China