onsemi FGPF10N60UNDF IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin TO-220F, Through Hole
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorMaximum Continuous Collector Current
20 A
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
42 W
Package Type
TO-220F
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Dimensions
10.36 x 4.9 x 16.07mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Tuotetiedot
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,344
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,427
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
€ 0,344
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,427
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorMaximum Continuous Collector Current
20 A
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
42 W
Package Type
TO-220F
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Dimensions
10.36 x 4.9 x 16.07mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Tuotetiedot
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.