N-Channel MOSFET, 1 A, 600 V, 3-Pin IPAK onsemi FQU1N60CTU

RS tilauskoodi: 671-5345Tuotemerkki: ON SemiconductorValmistajan osanumero.: FQU1N60CTU
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

ON Semiconductor

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Package Type

IPAK (TO-251)

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

11.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

4.8 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.6mm

Width

2.3mm

Transistor Material

Si

Series

QFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

6.1mm

Alkuperämaa

Malaysia

Tuotetiedot

QFET® N-Channel MOSFET, up to 5.9A, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,653

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,82

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 1 A, 600 V, 3-Pin IPAK onsemi FQU1N60CTU

5

Pakkauskoko 5
5€ 3,26
10€ 6,53
15€ 9,80
20€ 13,06
25€ 13,55
30€ 16,26
35€ 18,97
40€ 21,68
45€ 24,39
50€ 27,10
55€ 29,81
60€ 32,52
65€ 35,23
70€ 37,94
75€ 40,65

€ 0,653

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,82

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 1 A, 600 V, 3-Pin IPAK onsemi FQU1N60CTU
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

5

Pakkauskoko 5
5€ 3,26
10€ 6,53
15€ 9,80
20€ 13,06
25€ 13,55
30€ 16,26
35€ 18,97
40€ 21,68
45€ 24,39
50€ 27,10
55€ 29,81
60€ 32,52
65€ 35,23
70€ 37,94
75€ 40,65

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
5 - 20€ 0,653€ 3,26
25 - 95€ 0,542€ 2,71
100 - 245€ 0,344€ 1,72
250 - 495€ 0,328€ 1,64
500+€ 0,312€ 1,56

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

ON Semiconductor

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Package Type

IPAK (TO-251)

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

11.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

4.8 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.6mm

Width

2.3mm

Transistor Material

Si

Series

QFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

6.1mm

Alkuperämaa

Malaysia

Tuotetiedot

QFET® N-Channel MOSFET, up to 5.9A, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja