onsemi MMBFJ177 P-Channel JFET, Idss 1.5 → 20mA, 3-Pin SOT-23

RS tilauskoodi: 671-1141Tuotemerkki: ON SemiconductorValmistajan osanumero.: MMBFJ177
brand-logo
Näytä kaikki JFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

P

Idss Drain-Source Cut-off Current

1.5 → 20mA

Maximum Gate Source Voltage

+30 V

Maximum Drain Gate Voltage

-30V

Configuration

Single

Transistor Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

300 Ω

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

SOT-23

Pin Count

3

Dimensions

2.92 x 1.3 x 0.93mm

Height

0.93mm

Width

1.3mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.92mm

Tuotetiedot

P-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,567

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,703

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

onsemi MMBFJ177 P-Channel JFET, Idss 1.5 → 20mA, 3-Pin SOT-23
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,567

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,703

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

onsemi MMBFJ177 P-Channel JFET, Idss 1.5 → 20mA, 3-Pin SOT-23
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
5 - 20€ 0,567€ 2,84
25 - 95€ 0,289€ 1,44
100 - 245€ 0,159€ 0,80
250 - 495€ 0,146€ 0,73
500+€ 0,133€ 0,66

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

P

Idss Drain-Source Cut-off Current

1.5 → 20mA

Maximum Gate Source Voltage

+30 V

Maximum Drain Gate Voltage

-30V

Configuration

Single

Transistor Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

300 Ω

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

SOT-23

Pin Count

3

Dimensions

2.92 x 1.3 x 0.93mm

Height

0.93mm

Width

1.3mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.92mm

Tuotetiedot

P-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja