Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
300 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
2
Minimum DC Current Gain
5000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Cut-off Current
100nA
Height
1.01mm
Width
1.4mm
Maximum Power Dissipation
300 mW
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.04mm
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,02
1 kpl (10000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,025
1 kpl (10000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
10000
€ 0,02
1 kpl (10000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,025
1 kpl (10000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
10000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
300 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
2
Minimum DC Current Gain
5000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Cut-off Current
100nA
Height
1.01mm
Width
1.4mm
Maximum Power Dissipation
300 mW
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.04mm