N-Channel MOSFET, 2.6 A, 500 V, 3-Pin IPAK onsemi NDD03N50Z-1G

RS tilauskoodi: 719-2780Tuotemerkki: ON SemiconductorValmistajan osanumero.: NDD03N50Z-1G
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2.6 A

Maximum Drain Source Voltage

500 V

Package Type

IPAK (TO-251)

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

3.3 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Maximum Power Dissipation

58 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

10 nC @ 10 V

Width

2.38mm

Transistor Material

Si

Height

7.62mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,725

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,899

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 2.6 A, 500 V, 3-Pin IPAK onsemi NDD03N50Z-1G

€ 0,725

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,899

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 2.6 A, 500 V, 3-Pin IPAK onsemi NDD03N50Z-1G
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
5 - 45€ 0,725€ 3,62
50 - 120€ 0,37€ 1,85
125 - 245€ 0,258€ 1,29
250 - 495€ 0,256€ 1,28
500+€ 0,253€ 1,26

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2.6 A

Maximum Drain Source Voltage

500 V

Package Type

IPAK (TO-251)

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

3.3 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Maximum Power Dissipation

58 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

10 nC @ 10 V

Width

2.38mm

Transistor Material

Si

Height

7.62mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja