N-Channel MOSFET, 2.6 A, 500 V, 3-Pin DPAK onsemi NDD03N50ZT4G
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.6 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3.3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Maximum Power Dissipation
58 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
6.73mm
Width
6.22mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
2.38mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,52
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,645
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
€ 0,52
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,645
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 0,52 | € 2,60 |
| 50 - 120 | € 0,317 | € 1,58 |
| 125 - 245 | € 0,315 | € 1,58 |
| 250 - 495 | € 0,312 | € 1,56 |
| 500+ | € 0,31 | € 1,55 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.6 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3.3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Maximum Power Dissipation
58 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
6.73mm
Width
6.22mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
2.38mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.