P-Channel MOSFET, 5.9 A, 30 V, 3 + Tab-Pin SOT-223 onsemi NDT454P

RS tilauskoodi: 806-1252Tuotemerkki: ON SemiconductorValmistajan osanumero.: NDT454P
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

5.9 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOT-223

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3 + Tab

Maximum Drain Source Resistance

90 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.7mm

Typical Gate Charge @ Vgs

29 nC @ 10 V

Width

3.7mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Height

1.7mm

Tuotetiedot

Enhancement Mode P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,50

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,86

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 5.9 A, 30 V, 3 + Tab-Pin SOT-223 onsemi NDT454P
Valitse pakkaustyyppi

€ 1,50

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,86

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 5.9 A, 30 V, 3 + Tab-Pin SOT-223 onsemi NDT454P
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

5.9 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOT-223

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3 + Tab

Maximum Drain Source Resistance

90 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.7mm

Typical Gate Charge @ Vgs

29 nC @ 10 V

Width

3.7mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Height

1.7mm

Tuotetiedot

Enhancement Mode P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja