onsemi NGTB10N60R2DT4G IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin DPAK (TO-252), Surface Mount

RS tilauskoodi: 882-9809Tuotemerkki: ON SemiconductorValmistajan osanumero.: NGTB10N60R2DT4G
brand-logo
Näytä kaikki IGBTs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Maximum Continuous Collector Current

20 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

72 W

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

6.73 x 6.22 x 2.38mm

Gate Capacitance

1340pF

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Tuotetiedot

IGBT Discretes, ON Semiconductor

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.

IGBT Discretes, ON Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,425

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,527

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

onsemi NGTB10N60R2DT4G IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin DPAK (TO-252), Surface Mount
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,425

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,527

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

onsemi NGTB10N60R2DT4G IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin DPAK (TO-252), Surface Mount
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Maximum Continuous Collector Current

20 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

72 W

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

6.73 x 6.22 x 2.38mm

Gate Capacitance

1340pF

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Tuotetiedot

IGBT Discretes, ON Semiconductor

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.

IGBT Discretes, ON Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.