Dual Plastic N-Channel MOSFET Transistor, 35 A, 59 V, 4-Pin DPAK onsemi NID9N05BCLT4G
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Maximum Drain Source Voltage
59 V
Series
AEC-Q101
Package Type
DPAK
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
1.21 Ω
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
Plastic
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,563
1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,698
1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2500
€ 0,563
1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,698
1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2500
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 2500 - 7500 | € 0,563 | € 1 407,50 |
| 10000 - 22500 | € 0,545 | € 1 362,50 |
| 25000+ | € 0,535 | € 1 337,50 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Maximum Drain Source Voltage
59 V
Series
AEC-Q101
Package Type
DPAK
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
1.21 Ω
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
Plastic
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.