N-Channel MOSFET, 58 A, 100 V, 3-Pin D2PAK onsemi NTB6412ANG
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
58 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
18.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
167 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
13.5 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10.29mm
Width
9.65mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
4.83mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 1,70
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 2,108
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
2
€ 1,70
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 2,108
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
2
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 1,70 | € 3,40 |
| 20 - 38 | € 1,10 | € 2,20 |
| 40 - 98 | € 1,10 | € 2,20 |
| 100 - 498 | € 1,10 | € 2,20 |
| 500+ | € 1,05 | € 2,10 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
58 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
18.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
167 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
13.5 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10.29mm
Width
9.65mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
4.83mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.