N-Channel MOSFET, 23 A, 100 V, 3-Pin IPAK onsemi NTD6415AN-1G
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
IPAK (TO-251)
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
55 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
83 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
29 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
6.73mm
Width
2.38mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
7.62mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,454
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,563
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
2
€ 0,454
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,563
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
2
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
IPAK (TO-251)
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
55 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
83 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
29 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
6.73mm
Width
2.38mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
7.62mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.