N-Channel MOSFET, 46 A, 650 V, 3-Pin TO-247 onsemi NTHL065N65S3F

RS tilauskoodi: 178-4255Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: NTHL065N65S3F
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

46 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

65 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

337 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±30 V

Width

4.82mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

15.87mm

Typical Gate Charge @ Vgs

98 nC @ 10 V

Height

20.82mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.3V

Alkuperämaa

China

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 9,40

1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 11,656

1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 46 A, 650 V, 3-Pin TO-247 onsemi NTHL065N65S3F

€ 9,40

1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 11,656

1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 46 A, 650 V, 3-Pin TO-247 onsemi NTHL065N65S3F
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Putki
30 - 90€ 9,40€ 282,00
120 - 240€ 9,10€ 273,00
270 - 480€ 8,90€ 267,00
510+€ 8,70€ 261,00

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

46 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

65 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

337 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±30 V

Width

4.82mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

15.87mm

Typical Gate Charge @ Vgs

98 nC @ 10 V

Height

20.82mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.3V

Alkuperämaa

China